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        半導(dǎo)體光電雜志

        全年訂價(jià):¥280.00/年

        半導(dǎo)體光電雜志北大期刊統(tǒng)計(jì)源期刊

        Semiconductor Optoelectronics

        同學(xué)科期刊級別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計(jì)源期刊 部級期刊 省級期刊

        • 雙月刊 出版周期
        • 50-1092/TN CN
        • 1001-5868 ISSN
        主管單位:中國電子科技集團(tuán)有限公司
        主辦單位:重慶光電技術(shù)研究所
        創(chuàng)刊時間:1976
        開本:A4
        出版地:重慶
        語種:中文
        審稿周期:1-3個月
        影響因子:0.87
        被引次數(shù):167
        數(shù)據(jù)庫收錄:

        北大期刊(中國人文社會科學(xué)期刊)統(tǒng)計(jì)源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)知網(wǎng)收錄(中)維普收錄(中)萬方收錄(中)CA 化學(xué)文摘(美)JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)國家圖書館館藏上海圖書館館藏

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        半導(dǎo)體光電雜志簡介

        《半導(dǎo)體光電》雜志是專業(yè)技術(shù)性刊物。刊載半導(dǎo)體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計(jì)算、處理技術(shù),以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學(xué)術(shù)論文、學(xué)位論文和工作報(bào)告,介紹光學(xué)、光子學(xué)、量子電子學(xué)、光電子學(xué)領(lǐng)域的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新器件,報(bào)道國內(nèi)外該領(lǐng)域的研究和發(fā)展方向。讀者對象為半導(dǎo)體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。

        半導(dǎo)體光電雜志欄目設(shè)置

        本刊動態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光通信、光電技術(shù)應(yīng)用。

        半導(dǎo)體光電雜志榮譽(yù)信息

        半導(dǎo)體光電雜志訂閱方式

        地址:重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號,郵編:400060。

        半導(dǎo)體光電雜志社投稿須知

        1.來稿要求論點(diǎn)明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴(yán)密、文字精煉,每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻(xiàn)和第一作者及通訊作者(一般為導(dǎo)師)簡介(包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向),在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項(xiàng)目、何基金(編號)資助,沒有的不注明。

        2.論文摘要盡量寫成報(bào)道性文摘,包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容(100字左右),應(yīng)具有獨(dú)立性與自含性,關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞(3~5個)。

        3.文稿篇幅(含圖表)一般不超過5000字,一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計(jì)量單位最新標(biāo)準(zhǔn)。外文字符必須分清大、小寫,正、斜體,黑、白體,上下角標(biāo)應(yīng)區(qū)別明顯。

        4.文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過2幅,圖像要清晰,層次要分明。

        5.參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制,請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻(xiàn)。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的,請采用腳注方式標(biāo)明,參考文獻(xiàn)不少于3條。

        6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后,5個工作日內(nèi)審稿,電子郵件回復(fù)作者。重點(diǎn)稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知(特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知),則請與本部聯(lián)系確認(rèn)。

        7.來稿文責(zé)自負(fù)。所有作者應(yīng)對稿件內(nèi)容和署名無異議,稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對來稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改,雜志一個版面2500字,二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù),出刊日期,是否加急等情況,請?jiān)卩]件投稿時作特別說明。

        8.請作者自留備份稿,本部不退稿。

        9.論文一經(jīng)發(fā)表,贈送當(dāng)期樣刊1-2冊,需快遞的聯(lián)系本部。

        10.請?jiān)谖母搴竺孀⒚鞲寮?lián)系人的姓名、工作單位、詳細(xì)聯(lián)系地址、電話(包括手機(jī))、郵編等信息,以便聯(lián)系有關(guān)事宜。

        半導(dǎo)體光電雜志范例

        GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器光響應(yīng)特性

        兩基色白光LED的光視效能的研究

        1.55μmDFBLD光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

        用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管

        Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型

        光伏型光電探測器漂移-擴(kuò)散模型的改進(jìn)

        集成光波導(dǎo)微應(yīng)力傳感器研究

        數(shù)字光電耦合器隔離性能及動態(tài)特性測試儀

        MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實(shí)現(xiàn)

        InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點(diǎn)發(fā)光性質(zhì)的影響

        超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)

        摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理

        銦對GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響

        Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性

        可溶性PMOTOPV的合成及其光致發(fā)光性能

        二次退火對p型GaN的應(yīng)變影響

        圓片直接鍵合界面表面能測試研究

        半導(dǎo)體光電雜志數(shù)據(jù)信息

        影響因子和被引次數(shù)

        雜志發(fā)文量

        半導(dǎo)體光電雜志發(fā)文分析

        主要資助課題分析

        資助課題 涉及文獻(xiàn)
        重慶市自然科學(xué)基金(2010BB2409) 16
        國家自然科學(xué)基金(90104003) 12
        重慶市教委科研基金(KJ110519) 10
        國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2006CB604902) 10
        國家自然科學(xué)基金(61377088) 10
        國家自然科學(xué)基金(90304004) 10
        國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2003CB314905) 9
        國家自然科學(xué)基金(60506012) 9
        國家自然科學(xué)基金(60678018) 9
        教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”(NCET-10-0583) 9

        主要資助項(xiàng)目分析

        資助項(xiàng)目 涉及文獻(xiàn)
        國家自然科學(xué)基金 1550
        國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃 315
        國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃 213
        重慶市自然科學(xué)基金 71
        國家教育部博士點(diǎn)基金 70
        中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 63
        教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃” 52
        重慶市教委科研基金 48
        重慶市教育委員會科學(xué)技術(shù)研究項(xiàng)目 47
        廣東省自然科學(xué)基金 45
        半導(dǎo)體光電雜志

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        價(jià)格訂閱:¥280.00/1年 發(fā)行周期:雙月刊 紙張開本:A4

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